F3L150R12W2H3B11BPSA1 Spécifications techniques

Igbt Module Vces 600V 150A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 32
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 4
Case Connection ISOLATED
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X32
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 500W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 210 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 510 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 8.7nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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