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FD1000R33HL3KBPSA1
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FD1000R33HL3KBPSA1 Spécifications techniques
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~150°C |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 9 |
Terminal Position | UPPER |
JESD-30 Code | R-XUFM-X9 |
Configuration | 2 Independent |
Power - Max | 11500W |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Input | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300V |
Turn On Time | 1050 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 4700 ns |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2014 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1000A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 1000A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 190nF @ 25V |
Lead Free | Contains Lead |
FD1000R33HL3KBPSA1 Documents
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Feuilles de données
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