FD1000R33HL3KBPSA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 9
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X9
Configuration 2 Independent
Power - Max 11500W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Turn On Time 1050 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 4700 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1000A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1000A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 190nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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