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FD200R12KE3PHOSA1 Spécifications techniques

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Single
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 400 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 830 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Active
Number of Terminations 5
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
FD2000 FINECHIP Circuits intégrés spécialisés 1680
FD2000046 Diodes Incorporated Oscillateurs 2511
FD2000047 Diodes Incorporated Oscillateurs 2791
FD2000048 Diodes Incorporated Oscillateurs 2775
FD2000049 Diodes Incorporated Oscillateurs 2559
FD2000051 Diodes Incorporated Oscillateurs 2537
FD2000DU-120 IGBT Module Modules IGBT 2700
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