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FF100R12RT4HOSA1
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FF100R12RT4HOSA1 Spécifications techniques
IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2002 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Position | UPPER |
Pin Count | 7 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power - Max | 555W |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Input | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 185 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 490 ns |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~150°C |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
JESD-30 Code | R-XUFM-X5 |
Configuration | 2 Independent |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 100A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 630nF @ 25V |
Lead Free | Lead Free |
FF100R12RT4HOSA1 Documents
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Feuilles de données
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