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FF200R12KT3EHOSA1
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FF200R12KT3EHOSA1 Spécifications techniques
IGBT MODULE 1200V 1050W
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -40°C~125°C |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 7 |
Additional Feature | UL RECOGNIZED |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Configuration | 2 Independent |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Turn On Time | 215 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 680 ns |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Screw |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2002 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power - Max | 1050W |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Input | Standard |
Max Collector Current | 295A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
FF200R12KT3EHOSA1 Documents
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Feuilles de données
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