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FF225R12MS4BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 11
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 275A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 225A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 11
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 11
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 1450W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 180 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 590 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 15nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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FF225R12MS4BOSA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, FF225R12MS4BOSA1 prix de référence. FF225R12MS4BOSA1 paramètres, FF225R12MS4BOSA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FF225R12MS4BOSA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FF225R12MS4BOSA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FF225R12MS4BOSA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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