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FF400R12KT3EHOSA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE VCES 650V 400A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 580A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Active
Number of Terminations 7
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 2000W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 215 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 680 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 28nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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