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FF600R12IP4BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 600A 3350W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 370 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1050 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 11
Qualification Status Not Qualified
Configuration Half Bridge
Power - Max 3350W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 600A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 600A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 37nF @ 25V
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