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FF600R12ME4CBOSA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 1060A 11-pin ECONOD-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 11
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 11
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 4050W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 1.06kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 300 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 710 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Half Bridge
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1060A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 37nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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