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FF600R12ME4EB11BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 995A 4050W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Discrete Semiconductors / IGBTs Modules
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 12
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 340 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 700 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X12
Configuration Half Bridge
Power - Max 4050W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Current - Collector (Ic) (Max) 995A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 37nF @ 25V
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