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FF900R12IE4BOSA1
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FF900R12IE4BOSA1 Spécifications techniques
IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Pins | 10 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Series | PrimePack™2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 7 |
Max Power Dissipation | 5.1kW |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-XUFM-X7 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Input | Standard |
Max Collector Current | 900A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.05V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Length | 172mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Screw |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2002 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 11 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | Single |
Power Dissipation | 5.1kW |
Power - Max | 5100W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 350 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 940 ns |
NTC Thermistor | Yes |
Height | 38mm |
Width | 89mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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