FP15R12W2T4BOMA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 30A 23-pin EASY2B-1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 23
Published 2002
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 145W
Input Standard
Max Collector Current 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 15A
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 890pF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Power Dissipation-Max (Abs) 145W
IGBT Type Trench Field Stop
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
VCEsat-Max 2.25 V
Lead Free Contains Lead
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