FP25R12KT3BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 24
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 24
Qualification Status Not Qualified
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 155W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 140 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 610 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.8nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X24
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
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