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FP30R06W1E3BOMA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE 600V 37A 115W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 23
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 23
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 115W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.55V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 23
Max Power Dissipation 115W
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 37A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 42 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 245 ns
NTC Thermistor Yes
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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FP30R06W1E3BOMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, FP30R06W1E3BOMA1 prix de référence. FP30R06W1E3BOMA1 paramètres, FP30R06W1E3BOMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FP30R06W1E3BOMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FP30R06W1E3BOMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FP30R06W1E3BOMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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