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FP35R12W2T4B11BOMA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 54A 23-pin EASY2B-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 23
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X23
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 215W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 43 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 510 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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FP35R12KE3G IGBT Module Modules IGBT 2913
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FP35R12W2T4B11BOMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, FP35R12W2T4B11BOMA1 prix de référence. FP35R12W2T4B11BOMA1 paramètres, FP35R12W2T4B11BOMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FP35R12W2T4B11BOMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FP35R12W2T4B11BOMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FP35R12W2T4B11BOMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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