FP35R12W2T4B11BOMA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 54A 23-pin EASY2B-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 23
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X23
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 215W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 43 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 510 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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