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FP50R12KE3BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 75A 280W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Number of Pins 24
Operating Temperature -40°C~125°C TJ
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 35
Terminal Position UPPER
Pin Count 35
Number of Elements 7
Power Dissipation 270W
Power - Max 280W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 135 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 610 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X35
Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
IGBT Type NPT
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.5nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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FP50R12KE3BOSA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, FP50R12KE3BOSA1 prix de référence. FP50R12KE3BOSA1 paramètres, FP50R12KE3BOSA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FP50R12KE3BOSA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FP50R12KE3BOSA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FP50R12KE3BOSA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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