FP50R12KT4GB15BOSA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 25A 35-pin ECONO3-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 35
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 35
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 280W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 210 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 620 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
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