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FP75R12KT4B11BOSA1 Spécifications techniques

IGBT, LOW POW, 1200V, 75A, ECONOPIM

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Number of Pins 35
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 35
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 385W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 210 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 620 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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