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FS200R12PT4BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 280A 1000W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 20
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X20
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 190 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 600 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 20
Qualification Status Not Qualified
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 1000W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 280A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
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FS200R12PT4BOSA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, FS200R12PT4BOSA1 prix de référence. FS200R12PT4BOSA1 paramètres, FS200R12PT4BOSA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FS200R12PT4BOSA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FS200R12PT4BOSA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FS200R12PT4BOSA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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