FS50R06W1E3BOMA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE 600V 70A 205W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 22
Qualification Status Not Qualified
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 205W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 70A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 250 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 370 ns
NTC Thermistor Yes
Height 12mm
Width 33.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 18
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EasyPACK™ 1B
Part Status Active
Number of Terminations 15
Max Power Dissipation 205W
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X15
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 95pF @ 25V
Length 62.8mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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