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FZ1800R12HP4B9HOSA2 Spécifications techniques

IGBT MODULE 1200V 2700A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 9
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 9
Terminal Form UNSPECIFIED
Configuration Single Switch
Power - Max 10500W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 2.7kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 720 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1330 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position UPPER
Number of Elements 3
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 2700A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 1800A
IGBT Type Trench
Input Capacitance (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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