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FZ3600R12HP4HOSA2 Spécifications techniques

IGBT MODULE 1200V 4930A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 3
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 4930A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 3600A
IGBT Type Trench
Input Capacitance (Cies) @ Vce 225nF @ 25V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 9
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X9
Configuration Single Switch
Power - Max 19000W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 4.93kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 890 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1550 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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