IGB20N60H3ATMA1 Spécifications techniques

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TrenchStop®
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number 30N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 170W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Turn On Time 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Switching Energy 690μJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Test Condition 400V, 20A, 14.6 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 241 ns
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 16ns/194ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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