IGW30N65L5XKSA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 3-Pin TO-247 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 85A
Turn On Time 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff) 520 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 470μJ (on), 1.35mJ (off)
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop™ 5
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 227W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 227W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Switching Frequency 50Hz
Gate Charge 168nC
Td (on/off) @ 25°C 33ns/308ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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