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IGW40N120H3FKSA1 Spécifications techniques

IGBT 1200V 80A 483W TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 3.16mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Power - Max 483W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Test Condition 600V, 40A, 12 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 414 ns
Gate Charge 185nC
Td (on/off) @ 25°C 30ns/290ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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