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IGW50N65H5AXKSA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 270W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 25A, 12 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 213 ns
Gate Charge 116nC
Td (on/off) @ 25°C 21ns/173ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 270W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Turn On Time 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 450μJ (on), 160μJ (off)
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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