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IHW15N120R2 Spécifications techniques

IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 357W
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 15A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 900μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.4V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 357W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
JEDEC-95 Code TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 15A, 14.8 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 432 ns
Gate Charge 133nC
Td (on/off) @ 25°C -/282ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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