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IHW30N90R Spécifications techniques

IGBT 900V 60A 454W TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 900V
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Switching Energy 1.46mJ
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.4V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN
Max Power Dissipation 454W
Number of Elements 1
Power Dissipation 454W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 60A
Collector Emitter Breakdown Voltage 900V
Test Condition 600V, 30A, 15 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 640 ns
Gate Charge 200nC
Td (on/off) @ 25°C -/511ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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