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IKA15N65F5XKSA1 Spécifications techniques

IGBT 650V 14A 33.3W PG-TO220-3FP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 33.3W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation 33.3W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.6V
Reverse Recovery Time 50 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 130μJ (on), 40μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 4.8V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 14A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 7.5A, 39 Ω, 15V
Gate Charge 38nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/150ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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