IKB20N60H3ATMA1 Spécifications techniques

IKB20N60H3ATMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TrenchStop®
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 170W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Switching Energy 690μJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 112ns
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Test Condition 400V, 20A, 14.6 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 241 ns
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 16ns/194ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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