IKD06N60RAATMA2 Spécifications techniques

IKD06N60RAATMA2 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number *KD06N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 12A
Turn On Time 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TrenchStop®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 100W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 68ns
Test Condition 400V, 6A, 23 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 335 ns
Gate Charge 48nC
Td (on/off) @ 25°C 12ns/127ns
Lead Free Contains Lead
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