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IKD15N60R Spécifications techniques

IGBT 600V 30A 250W TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 250W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power Dissipation-Max (Abs) 250W
Test Condition 400V, 15A, 15 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 430 ns
Gate Charge 90nC
Td (on/off) @ 25°C 16ns/183ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number *KD15N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 110ns
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Turn On Time 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 900μJ
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.7V
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