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IKW30N65EL5XKSA1
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IKW30N65EL5XKSA1 Spécifications techniques
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 3-Pin TO-247 Tube
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 85A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
Switching Frequency | 50Hz |
Gate Charge | 168nC |
Td (on/off) @ 25°C | 33ns/308ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | TrenchStop™ 5 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 227W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 227W |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 650V |
Reverse Recovery Time | 100 ns |
Turn On Time | 44 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 30A |
Turn Off Time-Nom (toff) | 520 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Switching Energy | 470μJ (on), 1.35mJ (off) |
Lead Free | Lead Free |
IKW30N65EL5XKSA1 Documents
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Feuilles de données
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