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IKW40N120H3FKSA1
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IKW40N120H3FKSA1 Spécifications techniques
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | TrenchStop® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Reverse Recovery Time | 355ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Test Condition | 600V, 40A, 12 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 414 ns |
Gate Charge | 185nC |
Td (on/off) @ 25°C | 30ns/290ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 483W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 78 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Switching Energy | 4.4mJ |
IKW40N120H3FKSA1 Documents
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Feuilles de données
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