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IKW50N65F5AXKSA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 270W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 77 ns
Turn On Time 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 490μJ (on), 140μJ (off)
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 270W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 25A, 12 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 196 ns
Gate Charge 108nC
Td (on/off) @ 25°C 21ns/156ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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