IKW50N65F5FKSA1 Spécifications techniques

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Element Configuration Single
Input Type Standard
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 25A, 12 Ω, 15V
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 21ns/175ns
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 305W
Power Dissipation 305W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.6V
Reverse Recovery Time 52 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 490μJ (on), 160μJ (off)
REACH SVHC Unknown
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