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IKW75N65EL5XKSA1 Spécifications techniques

IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 536W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 536W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 114 ns
Turn On Time 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 75A
Turn Off Time-Nom (toff) 474 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Switching Energy 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop™ 5
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 75A, 4 Ω, 15V
Switching Frequency 50Hz
Gate Charge 436nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/275ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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