IPA50R190CE Spécifications techniques

IPA50R190CE datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 510μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.19Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
FET Feature Super Junction
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 32W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 6.2A, 13V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1137pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 63A
Avalanche Energy Rating (Eas) 339 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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