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IPA60R1K0CEXKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ω @ 1.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 6.8A
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Feature Super Junction
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 26W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 130μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 1Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 46 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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