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IPA60R230P6XKSA1
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IPA60R230P6XKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Weight | 6.000006g |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ P6 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Number of Channels | 1 |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.4A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A Tc |
Rise Time | 7ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 16.8A |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Input Capacitance | 1.45nF |
Rds On Max | 230 mΩ |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 33W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 530μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Drain to Source Resistance | 207mOhm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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