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IPA60R380P6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 6.000006g
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A Tc
Rise Time 6ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 10.6A
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Resistance 342mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 31W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 320μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 877pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 877pF
Rds On Max 380 mΩ
Lead Free Lead Free
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