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IPA80R1K4CEXKSA2 Spécifications techniques

MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 2.3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 3.9A
Max Dual Supply Voltage 800V
Avalanche Energy Rating (Eas) 170 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 31W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 240μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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