IPAW60R280CEXKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 19.3A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 284 mJ
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Variant
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 32W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.3A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 3V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
FET Feature Super Junction
RoHS Status ROHS3 Compliant
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