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IPB011N04NGATMA1
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IPB011N04NGATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A Tc |
Rise Time | 10ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 63 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Terminal Position | SINGLE |
Pin Count | 7 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 250W Tc |
Power Dissipation | 250W |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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