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IPB014N06NATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A Ta 180A Tc
Rise Time 18ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Threshold Voltage 2.8V
Max Dual Supply Voltage 60V
Drain-source On Resistance-Max 0.0014Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 420 mJ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position SINGLE
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3W Ta 214W Tc
Power Dissipation 214W
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 143μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 34A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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