IPB017N08N5ATMA1 Spécifications techniques

IPB017N08N5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 36ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 102 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 80V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
Height 4.7mm
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 40 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 280μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 223nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) 177A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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