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IPB017N08N5ATMA1
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IPB017N08N5ATMA1 Spécifications techniques
IPB017N08N5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 375W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 36ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 102 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Max Dual Supply Voltage | 80V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480A |
Height | 4.7mm |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 3.949996g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 375W |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 37 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 177A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 80V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPB010N06N | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 2635 |
IPB010N06N3G 010N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 683 |
IPB010N06NATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2674 |
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPB011N04L | INF | Circuits intégrés spécialisés | 18 |
IPB011N04L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1067 |
IPB011N04LG | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 2796 |
IPB011N04LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2635 |
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPB011N04N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 32377 |
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