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IPB017N10N5LFATMA1
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IPB017N10N5LFATMA1 Spécifications techniques
IPB017N10N5LFATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™-5 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 313W Tc |
Power Dissipation | 313W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 31A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 979 mJ |
Height | 4.5mm |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 270μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 128 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 720A |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IPB010N06N3G 010N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 683 |
IPB010N06NATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2674 |
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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IPB011N04L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1067 |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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