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IPB031NE7N3GATMA1
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IPB031NE7N3GATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8130pF @ 37.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
DS Breakdown Voltage-Min | 75V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 214W Tc |
Power Dissipation | 214W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 85ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 640 mJ |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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