IPB048N15N5LFATMA1 Spécifications techniques

IPB048N15N5LFATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™-5
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 313W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 255μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0048Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 150V
Feedback Cap-Max (Crss) 23 pF
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 120A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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