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IPB048N15N5LFATMA1
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IPB048N15N5LFATMA1 Spécifications techniques
IPB048N15N5LFATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™-5 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 313W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 255μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0048Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 150V |
Feedback Cap-Max (Crss) | 23 pF |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 120A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 30 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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