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IPB050N06NGATMA1
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IPB050N06NGATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | MATTE TIN |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0047Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IPB050N06NG | I | Circuits intégrés spécialisés | 22447 |
IPB050N06NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2691 |
IPB051NE8N G | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 23024 |
IPB051NE8NG | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 1481 |
IPB051NE8NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 1331 |
IPB051NE8NG(051NE8N) | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 2511 |
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IPB050N06NGATMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IPB050N06NGATMA1 prix de référence. IPB050N06NGATMA1 paramètres, IPB050N06NGATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPB050N06NGATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPB050N06NGATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPB050N06NGATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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